BJT
- Controlado por corriente, puede manejar altas frcuencias y poencias, usos interruptores amplificadores y comunicaciones.
- Dispositivo eléctrico de estado solido de dos uniones PN que controlan el paso de la corriente a través de sus terminales.
- La conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades.
- La impedancia de entrada en muy baja.
- Utilizados normalmente en electrónica análoga.
- Formado por dos uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha, Emisor, Base y Colector.
- Su fabricación común es la deposición epitaxial.
- Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente por la forma en que son polarizados.
JFET
- Dispositivo semiconductor en el que la corriente fluye por una zonadenominada canal que une los terminales fuente y drenador.
- La corriente se controla mediante un campo eléctrico originado por una tensión aplicada en un tercer terminal denominado puerta.
- Está formado por una pastilla de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitúan dos patillas de salida drenador y fuente, flanqueada por dos regiones con dopaje N en las que se conectan dos terminales conectados entre sí en la puerta.
- Controlado por voltaje, involucra una fabricación de sustrato, dioxido de silicio como aislante y metal para las termnales, consume poca potencia, uso en el área digital, puede fabricarse en tamaños minúsculos todos los microprocesasdores están hechos a base donde puedes encontrar en un chip millones de estos transistores, como la corriente el mìnima la potencia y calentamiento tiende a cero.
- Los valores de entrada son las tensiones eléctricas.
- Al comparar el JFET con el TBJ se aprecia que el drenaje es análogo al colector, en tanto que el surtidor es análogo al emisor. Un tercer contacto, la compuerta, es análogo a la base.
- Tienen tiempos de conmutación mas rápidos que los BJT.
MOSFET
- Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS.
- El transistor más utilizado en la industria microelectrónica.
- Consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor
- Se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cómo se haya realizado el dopaje
- Las áreas de difusión se denominan fuente (source) y drenador (drain), y el conductor entre ellos es la puerta(gate).
- El transistor MOSFET tiene estados de funcionamiento, estado de corte y saturación.
- Consumo en modo estático muy bajo.
- La velocidad de conmutación es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos.
- Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.
- Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedencia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanoamperios.
- Tamaño muy inferior al transistor bipolar.
MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
A diferencia de un JFET, en el MOSFET de enriquecimiento inicialmente no existe canal, por lo cual debe ser inducido mediante un campo eléctrico originado por latensión VGS aplicada.
No existe canal de conducción de semiconductor tipo n entre los bloques n+ de drenador y surtidor, para el tipo canal n. El canal de conducción se induce mediante una tensión externa aplicada entre puerta y surtidor.
se muestra el símbolo de un MOSFET de enriquecimiento canal n, donde como es habitual el terminal de sustrato, la flecha, está interconectado con el terminal de surtidor. El símbolo del MOSFET de enriquecimiento canal p es el mismo que el de canal n pero con la flecha en sentido contrario.
MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO
Existen cuatro tipos principales de transistores MOSFET. Didácticamente conviene analizar primero el más común de todos que es el de canal N de empobrecimiento, prácticamente el único usado en fuentes de alimentación y luego se hará una referencia a los otros tipos en futuras entregas.
posee cuatro electrodos llamados fuente, compuerta, drenaje y sustrato. A diferencia del JFET, FET de juntura o simplemente FET o transistor de efecto de campo, la compuerta está aislada galvánicamente del canal. Por esta causa, la corriente de compuerta es extremadamente pequeña, tanto cuando la tensión de compuerta es positiva como cuando es negativa.
Se muestra un corte de un MOSFET de empobrecimiento de canal N. Se compone de un material N con una zona tipo P a la derecha y una compuerta aislada a la izquierda. A similitud de una válvula electrónica, en donde los electrones libres circulan desde el cátodo a la placa, en un MOSFET circulan desde el terminal de fuente al de drenaje.
El símbolo eléctrico de un MOSFET de canal N de empobrecimiento puede observarse en la imagen.
El MOSFET de empobrecimiento de canal N. En efecto, éste es el más adecuado para realizar llaves digitales y salvo cuando se necesiten MOSFET complementarios, los otros no tienen aplicación práctica.
TRANSCONDUCTANCIA
Es el cociente de la corriente en el puerto de salida y voltaje en los puertos de la entrada.
Su forma de escribir gm.
los amplificadores JFET se analizan por medio de la señal denominada transconductancia y esta dada por:
gm=id/vgs esta ecuacion indica la transconductancia es igual a la corriente alterna de dernador dividida entre la tension en alterna.
la transconductancia dice cual efectiva es la tension de puerta y fuente para controlar la corriente del drenador.
mayor transconductancia hay mayor tension de la puerta sobre la corriente del drenador.
Eje:
id=0,2 mA pp vgs=0,1 v pp
gm=0,2mA/0.1V= 2(10-³)moh=2000 umho